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02

2026

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06

MEMS結構臺階高度偏差的白光干涉儀干法刻蝕制程排查研究

臺階高度是MEMS微結構核心尺寸參數，直接決定微懸臂梁、傳感腔體等結構的裝配精度與使用性能。干法刻蝕作為MEMS晶圓制備核心制程，腔體真空度、射頻功率、氣體流量的...

02

2026

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06

白光干涉儀高精度檢測技術 賦能光伏激光劃線與薄膜分層量產質控

一、鈣鈦礦電池制程質控痛點與檢測需求激光劃線臺階深度是鈣鈦礦電池串聯結構制備的核心工藝參數，直接決定膜層剝離精度與器件電學性能，是影響量產良率的關鍵指標。當前行業...

01

2026

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06

MEMS芯片薄膜厚度異常的白光干涉儀溯源檢測及晶圓工藝隱患解...

薄膜厚度均勻性是決定MEMS芯片電學、力學性能穩定性的關鍵工藝指標。晶圓制備過程中，薄膜沉積、蝕刻、基材預處理等工序的參數波動，易造成膜厚偏差、局部厚薄不均等批量...

01

2026

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06

微透鏡矢高尺寸失準，白光干涉儀判定結構成型工藝問題

一、微透鏡矢高工藝缺陷及傳統檢測局限矢高（Sag Height）是微透鏡核心幾何參數，定義為透鏡頂點至有效口徑端面的垂直高度，直接決定微透鏡焦距、數值孔徑及光學耦...

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