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摘要干法刻蝕（Dry Etching）、濕法刻蝕（Wet Etching）是半導(dǎo)體晶圓（Wafer）加工核心工藝，刻蝕工序會(huì)改變晶圓襯底微觀形貌，而晶圓表面粗糙度...

干法 / 濕法刻蝕后（After Dry/Wet Etching），采用白光干涉儀測(cè)量晶圓表面粗糙度

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白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）全域成像技術(shù)對(duì)超薄薄膜（Ultra-thin Film）批量制備工藝異常的識(shí)別與分析

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